Ｖ−ＦＥＴ完全対称アンプ


　一時期秋葉原にソニーのＶ−ＦＥＴ、２ＳＪ１８が安価ででまわってい
たことがありました。それを利用して、設計したものです。ほぼ必然的に
完全対称アンプになりますが、ＭＪ１９９４年９月号にでていた参考図を
もとに、検討を加えた結果このような回路ができました。

（１９９６年３月製作）







　　参考

最大定格

項目 記号 Ｋ６０／Ｊ１８ 2SK82 ＴＫＳ４５Ｆ３２３
ゲート・ドレイン電圧 VGDO 170V 240V 450V
ゲート・ソース電圧 VGSO 30〜50V 45V 30V
ドレイン電流 ＩＤ ５Ａ 10Ａ ４Ａ
許容損失 ＰＴ 63Ｗ 95Ｗ 150Ｗ
接合部温度 Tj 120℃ 120℃ 150℃
保存周囲温度 TSTG -50〜150℃ -50〜+150℃ -55〜+150℃
ゲート電流 IG 0.5A 1A 　
　 　 　 　 　






電気的特性


項目 記号 Ｋ６０／Ｊ１８ 2SK82 ＴＫＳ４５Ｆ３２３
ゲート・ドレイン漏れ電流 VGDO 0.1μA(TYP)100μA(MAX) 0.1μA(TYP) 100μA(MAX)
ドレイン・ソース遮断電流 IDSX 0.1μA(TYP)100μA(MAX) 0.1μA(TYP) 100μA(MAX)
ゲート・ソース遮断電圧 VGS(OFF) 18V(TYP) 　 -20V(MAX)
ゲート・ソース間オン抵抗 rON 　 　 0.7Ω
入力容量 CGS 190pF 380 pF 470pF
帰還容量 CGD 　 　 70pF
最大発振周波数 fmax 　 　 300MHz
電圧増幅率 μ 4 4 27
出力抵抗 Ω 16 10 25〜52
gm S 0.25 　 0.52
オン電圧 VON 6V(TYP) 　 　


参考

　　Ｊ１８に８Ωの負荷線をひく




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