初段の直線性が保証されれば、完全アンプは無帰還で直線アンプになります。しかしｈＦＥが一定の素子はあるが、ｇｍが一定の素子は無いというのが現状です。

　　今回、中信号Ｖ−ＦＥＴの電流の大きな部分で、かなり特性が直線に近いのに気づいたので、計画をたててみました。



Ｖｄｓを１５Ｖにして１０mAくらい流すと、かなり直線に近い特性になります。

　　その場合完全アンプだと、アイドリングが１Ａくらいになるので電源部を対応させないといけないでしょう。


　　窪田氏（無線と実験）の記事より引用　

　　縦型の放熱器が手に入ったので、筐体を設計しました。

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