レトロな外観のアンプ  

  右がレトロ、左がモダンです。



  モダンのほうの内部をお見せしましょう。




  レトロのほうはプリにするか、プリメインにするか検討中です。


  プリメインにしました。



  ここまで進みました。LEDインジケーターもうまく動作しました。イコライザー
を搭載するか、回路はどうするかは未定です。


  回路が簡単になるので、終段はFETにすることは決まりですが、日立か東芝
か迷っているところです。

  小型の放熱器があれば、どちらの石も採用可能になりそうです。


  結局、温度特性などから日立の石にしました。


 





  今回はK30Aをゼロバイアス近辺で使ってみました。

        
K30Aをゼロバイアスで使う

  2N5465の定電流回路は金田流ですが、繊細にきれこむ音が得られます。

  2段目は普通は肩特性のシャープな2SA606、2SC959などを使いますが、
まだ豊富に手に入るMOSにしました。J−FETより雑音的に不利といわれていま
すが、作って聴いてみることにしました。

  ダイレクトに終段をドライブし、しかもゲートに直列にいれる抵抗を省略していま
す。普通はゲートの負性抵抗をキャンセルするためにいれますが、ドライブ段の出力
インピーダンスが高ければ必要無い気がします。

  終段のソース抵抗なしは、この石ならではの荒業ですが自作ではよく行われ
るようです。音質的には相当メリットがあります。

  2段目の出力インピーダンスが帰還後も高いかどうかは検討が必要ですが、
シミュレーターでできるでしょうか。

  
できました。


  MOS−FET出力段のアンプは超微粒子で散乱する音場の広いサウンドが
得られやすいことが経験上言えますが、シミュレーターで特性を見てみました。

   
パワートランジスターの周波数特性

   
パワーMOS−FETの周波数特性

  MOSの方が周波数特性が桁違いに良く、位相特性も素直なのが読み取れます。


  使ってみると思いのほか放熱器が熱いので、アイドリングをしぼることにしました。
0.6V以下にする必要があるため、ゲルマニウムトランジスタのマルチプライヤー方式
を採用しました。

  これによりアイドリング電流を5mAまでしぼることに成功しました。


  超高域の様子をみるためシミュレーターで書いてみました。



  素子はかなり違っていますが、特性はほぼ同等となると思います。


  オープンループ特性





  クローズド特性








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