回路 シミュレーションノート Ｎｏ．１８１参照
ＳＯＮＹ ２ＳＫ７９はｇｍ＝１７ｍＳのＶ−ＦＥＴ。東芝２ＳＡ１９４１はｈＦＥ＝１００のパワートランジスター。これらを電流接続すると、
ｇｍ＝１．７ＳのパワーＶ−ＦＥＴと同じ特性になる。
なぜそうなるかについては、シミュレーションノート Ｎｏ．９を参照してください。
いまではパワーＶ−ＦＥＴはどこも作っていないが、こうするとＶ−ＦＥＴＡ級シングルアンプを実験的に作ることができる。
半導体カーブトレーサーで確認してみよう。
Ｊ１８の例
K79 + A1941
こんな結果が得られた。すごい特性である。
