ゲイン１００アンプ各種

　　歪とかノイズ特性を調べる。作ったものはＣＲ型イコライザーのに使えるか試してみる。

　1)　J-FET 無帰還シングルアンプ


　　　ゲインについて言えばK369GR > K170GR > K30AY > K117GR となっている。無帰還シングルでは電圧を高く
しないとゲインがとれない。今回は40dBには至らなかった。

　　テスト用の基板。Ｅの端子を新設した。



　　ノイズフロアが一番低い。

2) バイポーラ差動一段




　　　バイポーラだと容易にハイゲインが実現できる。歪の出方に独特なものがある。

3) Dual Mos FET




　　高次歪が極めて少ないという特徴がある。

4) MOS FET





　　データシートで順方向伝達アドミタンスが100mSとあるので期待したがそれほどでもない。

5) Germanium Transistor




　　シリコンに比べてもなかなか素性が良い。

6) K117 二段アンプ

　　　ノイズ特性は大したことはなかった。オフセット調整がクリティカルで悩ましい。

6) K170 二段アンプ

7) 上條式ノンスイッチングアンプ





　　　オペアンプと比べるとゲインがやや小さく二次歪が多い。

　8)　μＡ７４１　

　　これが挿せるようにピンコンパチにしてある。

9)　プッシュプル出力段







（つづく）