基本構想
このような単段アンプを考える。バイアスは抵抗で作るとドライブ条件によってはゲインが低下するので、ＦＥＴバッファを用いる。
ピンチオフ電圧までのバイアスなら作れる。
ＭＯＳ−ＦＥＴ単段アンプ
基本構想
このような単段アンプを考える。バイアスは抵抗で作るとドライブ条件によってはゲインが低下するので、ＦＥＴバッファを用いる。
ピンチオフ電圧までのバイアスなら作れる。
カーブトレーサーで静特性を見る。
Ｋ４０５はこのようにｇｍがＫ１０５６の倍くらいあることがわかる。又バイアスが深いのが特徴である。
直線性は８Ωの負荷線を引いて交点の電流値をプロットしてゆくと読み取れる。Ｖ−ＦＥＴでは直線となり、
ＭＯＳＦＥＴではゆるいＳ字カーブとなる。
プロット例
飽和特性のＭＯＳ−ＦＥＴでもｇｍが完全に一定なら、負荷時の特性も直線になるはずだが、そのような素子はいま
のところ存在しない。したがって余分にかせいだｇｍで、負帰還の力を借りて直線化するしかない。しかしそれをやると
音的にはよくないのである。
終段バイアスが足りなかったので、バッファを２段にした。これで終段に６００mA流す
ことができた。リプルフィルターは必須。
ゲインは１．９倍となった。実効ｇｍは０．２５Sということになる。
Ｚｏ＝３３Ω
ゲインは低いがプリアンプがあれば十分使える。聴いて見るとソフトタッチでありながら妖刀のような切れ味
がありこれも只者ではない。