パワーアンプに対する穢れ無き望みと直向きな努力がこのようなアンプを生みだした。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　〜ヨハネの福音書　第１８節

　　トランスリニアアンプはカレントミラーなので対向する素子にほとんど同じ電流が流れます。




　　そうすると電圧増幅段が大電流を流さなくてはならなくなりパワーアンプするのは無理です。
これがバイポーラのトランスリニアアンプが作られなかった理由となります。

　　一方MOS-FETの場合はgmの違う素子を対向させることによって出力段に数倍の電流を流す
ことができます。







　　こういう組み合わせでなんとか出来そうです。

　　入力インピーダンスはとても高いことがわかります。

　　アンプ回路ができあがりました。






　　　バッファのみでもかなり良い。ＮＦＢによって２２ｄＢの歪率改善をみた。

　　証言１　「神の計画」のお告げに従ったことは事実です。





　　証言２　このとおり４６ｄＢの改善をみたのです。

（おわり）