SiC MOSパワーアンプ（２０１５年版）　

　　Sic MOS FETの温度特性は２００Ωのサーミスタでは補償しきれないことがわかった。１０ｋΩのものを試してみる。
クロスシャント増幅段はこの方式を採用した。マイナス側にダイアモンドバッファが見えている。

　　小改良で新しいアンプが誕生する。
　




　　　出力をアースに落とし実験用モジュールを挿してアイドリングを観察する。過補償なら調整して
ゆかないといけない。



　　モジュールができたらこの基板で出力電流を確認する。定電流ダイオードの二倍くらいの出力に
なる。

　　　 音は思った通り柔らかくキメの細かい音になった。音量を上げた時も透明感がある。
Sic　MOS アンプはメリハリがある方なので普通の方式だと使う気になれないというか、
SITかHCAを選択していたのだがこれでやっと仲間入りできる。

　　アイドリングは音楽を鳴らしていると50→30mAという風に徐々に徐々に減ってゆく。過補償気味だが
使いづらくもないのでしばらくこのままで行く。




（つづく）