SiC MOS FETパワーアンプ

　　光コントロール方式を半導体アンプにも応用する。まず作ってみて将来的には終段に±５０Ｖの超弩級電源を導入
してみたい。














　　　オープンゲインが小さいのでＮＦＢをかけてもこのような特性になる。

　　　フォトカプラーの電流を増やさないようにしてオープンゲインを上げるため一段追加した。だがこれは発振する可能性がある。








　　Cを470Pにするとピークは無くなる。シミュレーターではフラットになったが実機ではやはり発振した。

　　最初の回路を詰めてゆくことにした。カプラーをパラにして電流増幅率を二倍に、終段のソースにはレベルシフトを導入する。


　　フォトカプラーの選別を行う。これだと１ｍＡの時の変換効率（％）になる。TLP621は１５０位が多く、FOD817は２００位のものが多い。
中には８０のものもあるので要注意だ。





　　このくらい出力が取れれば十分。



　　調整は極めて容易である。