GaN FET D級アンプ

　　むしろこちらが本命かもしれないがGaN MOS FET　のD級アンプを作ってみる。

　このように終段の石を替える。



　　足の処理を行っておく。
　　

　　載せ替えた方の基板をチェックする。オフセットは正常範囲である。

　　音楽信号も通過した。適正音量となっている。





　　交換前のアンプの特性を調べておく。GａNの方はこわれるといけないので測定はしない。


　　SｉC　MOSに変更済みのアンプも測定する。測定時の配線の浮遊容量で不安定になるので出力を上げられなかった。

　　特性のこの違いは後で理由が明らかになる。

　　一号機

　　二号機は素子の載せ替えが成功したが、聴いてみると音が全然冴えない。理由が分からないので三号機を作ることにした。アンプキットと
それとは別にこのような冊子が必要になる。



　　左右基板の同一性チェック



　　問題なさそうなので全部の部品を取り付ける。





　　正常動作が得られたが測定して見ると低歪にはならなかった。

　　一号機との違いは定電圧回路の有無なので、　今回もこのような定電圧回路を外付けで作る。







　　非常に良い特性が得られ音も見事に変身した。D級アンプにおける電源の重要性が確認できた。

ついにGaN FET D級アンプの音を確認する時が来た。載せ換えが終わった基板に定電圧電源をつないで試聴する。

予想を裏切らないD級アンプ最高峰と言っていい音だ。アナログアンプの時と同じく明るめで繊細で柔らかく、低域はエネルギーに満ちていると表現できる。素直なMOS FET、クリスタルのようなSiC MOSと比較して楽しむことができる。