パワーアンプ　II　　第四基板　SIT　パワーアンプ

　　J１８のパラプシュプルを作ってみる。


　　この辺はJ４８のアンプと全く同じ手法となる。部品の配置はそのままで電源だけ正負が入れ換わる。

SONYのV−FETは今はどこにも売っていないようだ。



今回はバイアス生成に使うMOS FETにIRFW540Aを用いてみる。生成電圧がやや大きい。






このようになる。

終段ゲートドライブ抵抗に与える電圧を見る。出力とアースをショートした状態で行う。
このように3Vから7Vまで変化させることができる。

次に終段をつないでアイドリングを見る。
50mAになる時のVgsを見ると12Vから18Vのものまである。今回は18Vのもので揃えてある。S
ONYの石はバイアスが深くてアンプを作りにくいことがわかる。






最後に全部の石について問題ないかチェックして準備が完了する。