±１．５Ｖヘッドホンアンプの基礎研究その２



　　　±1.5Ｖで良い特性を実現しようとすると、どうもこういったコンセプトでしか実現できないようだ。
相当大がかりになるので小型ケースに実装するのは難しい。これは特性を見るために作られるのである。



　　実体図を書いてから回路図を起こす。普通とは逆だが私の場合このほうがやりやすい。

　　前回の研究で、ダイアモンドバッファより電流帰還バッファのほうがスイングレベルが大きいことは
確認している。準コンプリバッファ　実測編

　　±１．５Ｖ電源アンプの特性



　　 ダイアモンドバッファはバイアスで１．２ＶロスがでるためゼロバイアスのJ-FETには負ける。

　　初段バイポーラにこだわっていたが、試しに初段をＦＥＴにしてみる。４石電流帰還バッファ。




　　ニッケル水素電池は±１．２７Ｖしかないので無歪正弦波の実効値で０．８５Ｖが限度となると
考えておこう。３９Ωでは０．０１８Ｗ、５０Ωでは０．０１４Ｗというところ。

　　ＬＴ１４９８



　　単体ではこのようになる。思ったより厳しい。

　　前に作ったアンプを再測定。今回の出力が小さいが、前回は電池がオキシライドだったようだ。



　　　（ここよりスケールが違うので注意。）



　　この４石アンプはヘッドホン負荷だと大変厳しい。アイドリングを絞りすぎというところもあるが。

　　バイポーラで構成したバッファ



　　よく考えてみると雀刺しにしている限りダイアモンドバッファより良くなる事はないのだった。


　　ゲイン2倍にしてみる。



　　　振幅はこころもち改善、歪は悪化している。

　　抵抗を調整してIo=25mAにしてみたらびっくり。



　　これは前段が不要になるほどの良い特性だ。オフセット調節をつければ実用になる。

　　最初の図に戻るとどうやらHA10 miniには歪率で6dB負けているようだ。

　　少しオフセットがあると片方がカットオフする扱いの難しい回路でなかなか完成しない。

　　完全アンプをそのまま低電圧動作させた。



　　音はこれで十分すぎる位良い。特性はいまいちだが。

　新回路

　　ユニバーサル基盤でHA10miniを組んでみた。





　　若干の改変がある。





　　アイドリングは１０ｍＡのときに歪率最小になった。音は２０ｍＡのほうが良かったのでそのくらいで聴いている。

（つづく）